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龙图腾网获悉江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利垂直LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121285112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511852384.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权垂直LED芯片及其制备方法是由徐洲;曹广亮;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。垂直LED芯片的制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片；S2、依次形成透明导电层、SiO22掩膜层和光刻胶层；S3、将第一预设区域内的SiO22掩膜层、透明导电层去除；S4、去除第一预设区域内的P型接触层；S5、形成介质层；S6、将SiO22掩膜层上的介质层去除，然后去除剩余的SiO22掩膜层；S7、形成DBR反射层；S8、刻蚀暴露透明导电层；S9、依次形成金属反射层和键合层；S10、与第二衬底键合；S11、形成N电极、P电极，得到LED晶圆；S12、将LED晶圆切割，得到垂直LED芯片。实施本发明，可以提高垂直LED芯片的发光效率。

本发明授权垂直LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直LED芯片的制备方法，其特征在于，包括： S1、提供外延片，所述外延片包括第一衬底和依次设于所述第一衬底上的N型半导体层、MQW层、P型半导体层、P型AlGaInP电流扩展层、P型GaInP过渡层和P型接触层； S2、在所述P型接触层上依次形成透明导电层、SiO2掩膜层和光刻胶层； S3、将所述光刻胶层曝光显影，并将第一预设区域内的SiO2掩膜层、透明导电层去除，得到第一中间体； S4、去除所述第一预设区域内的P型接触层、P型GaInP过渡层和预设厚度的P型AlGaInP电流扩展层，形成凹坑；去除剩余的光刻胶层并清洗，得到第二中间体；其中，清洗工艺参数包括：采用丙酮或N-甲基吡咯烷酮在25℃~45℃下清洗3min-10min，然后采用异丙醇在20℃~35℃下清洗2min~5min；再采用去离子水在20℃~35℃下清洗2min~5min，最后在氮气气氛中干燥； S5、在所述第二中间体上形成介质层，所述介质层的厚度≥所述凹坑的深度； S6、将所述SiO2掩膜层上的介质层去除，然后去除剩余的SiO2掩膜层，以使所述介质层填平所述凹坑，得到第三中间体； S7、在所述第三中间体上形成DBR反射层； S8、刻蚀暴露透明导电层，得到第四中间体； S9、在所述第四中间体上依次形成金属反射层和键合层，得到第五中间体； S10、将所述第五中间体与第二衬底键合，并去除所述第一衬底，暴露所述N型半导体层； S11、在所述N型半导体层上形成N电极；在所述第二衬底上形成P电极，得到LED晶圆； S12、将所述LED晶圆切割，得到垂直LED芯片； 其中，步骤S5中，所述介质层的厚度符合下述关系式： 其中，δ1是所述介质层的厚度，n为所述介质层的折射率，λ为所述垂直LED芯片的主波长，k为常数，其取值范围为1~5。

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