杭州微纳核芯电子科技有限公司詹丕显获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州微纳核芯电子科技有限公司申请的专利DRAM存储器及端侧设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223956070U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520667759.9，技术领域涉及：G06F13/16；该实用新型DRAM存储器及端侧设备是由詹丕显;焉逢运;陈沛毓;叶乐设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本DRAM存储器及端侧设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种DRAM存储器及端侧设备，DRAM存储器包括：多个存储器块，用于存储数据；多个存储器块控制器，对应于所述多个存储器块设置，每一存储器块控制器能够控制对应的所述存储器块写入或读取数据；ONFI接口控制器，与所述多个存储器块控制器分别相连接，能够向所述多个存储器块控制器发送指令以控制所述多个存储器块的运行；以及IO接口，与所述ONFI接口控制器相连接，并被配置为用于与主控制电路相连接，接收所述主控制电路的控制信号并发送至ONFI接口控制器。本实用新型通过利用ONFI协议控制DRAM存储器，并结合三维封装、CEReduction机制等技术，在降低成本、功耗和芯片面积的同时，提高了存储密度、数据访问效率和系统灵活性，满足了多样化的应用需求。
本实用新型DRAM存储器及端侧设备在权利要求书中公布了：1.一种DRAM存储器，其特征在于，包括： 多个存储器块，用于存储数据； 多个存储器块控制器，对应于所述多个存储器块设置，每一存储器块控制器能够控制对应的所述存储器块写入或读取数据； ONFI接口控制器，与所述多个存储器块控制器分别相连接，能够向所述多个存储器块控制器发送指令以控制所述多个存储器块的运行；以及 IO接口，与所述ONFI接口控制器相连接，并被配置为用于与主控制电路相连接，接收所述主控制电路的控制信号并发送至ONFI接口控制器。
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