包头市英思特稀磁新材料股份有限公司周保平获国家专利权
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龙图腾网获悉包头市英思特稀磁新材料股份有限公司申请的专利一种防漏磁高吸力的双层海尔贝克磁组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223956396U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423123542.6，技术领域涉及：H01F7/02；该实用新型一种防漏磁高吸力的双层海尔贝克磁组件是由周保平;董福海;李敏敏;刘博文;林云;周维娜设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种防漏磁高吸力的双层海尔贝克磁组件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种防漏磁高吸力的双层海尔贝克磁组件，包括第一阵列和第二阵列；第一阵列和第二阵列沿长度方向呈直线型排列成上下两排，第一阵列抵靠第二阵列；第一阵列包括三块沿长度方向呈直线型排列设置的第一单磁体，第一阵列的第一单磁体的充磁方向从左到右依次为水平向左、竖直向上和水平向右；第二阵列包括第一组合，第一组合包括五块沿长度方向呈直线型排列设置的第二单磁体，第一组合的第二单磁体的充磁方向从左到右依次为竖直向下、水平向左、竖直向上、水平向右和竖直向下。该第一单磁体和第二单磁体的特殊双层排布使本实用新型能够两端不漏磁且提升磁吸力。
本实用新型一种防漏磁高吸力的双层海尔贝克磁组件在权利要求书中公布了：1.一种防漏磁高吸力的双层海尔贝克磁组件，其特征在于：包括第一阵列和第二阵列； 第一阵列和第二阵列沿长度方向呈直线型排列成上下两排，第一阵列抵靠第二阵列； 第一阵列包括三块沿长度方向呈直线型排列设置的第一单磁体，第一阵列的第一单磁体的充磁方向从左到右依次为水平向左、竖直向上和水平向右； 第二阵列包括第一组合，第一组合包括五块沿长度方向呈直线型排列设置的第二单磁体，第一组合的第二单磁体的充磁方向从左到右依次为竖直向下、水平向左、竖直向上、水平向右和竖直向下。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人包头市英思特稀磁新材料股份有限公司，其通讯地址为：014000 内蒙古自治区包头市包头稀土高新区阿拉坦汗大街19号(稀土高新区科技产业园区A1-B1)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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