苏州通富超威半导体有限公司刘在福获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州通富超威半导体有限公司申请的专利一种倒装芯片及倒装芯片封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957972U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520182113.1，技术领域涉及：H10W76/47；该实用新型一种倒装芯片及倒装芯片封装结构是由刘在福;焦洁;郭瑞亮设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装芯片及倒装芯片封装结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种倒装芯片及倒装芯片封装结构，倒装芯片包括芯片本体，芯片本体功能面的中央区域设置有导电凸块阵列；芯片本体功能面的边缘区域设置有凹槽，凹槽围设于导电凸块阵列的外侧；其中，凹槽能够在向芯片本体和基板之间填充底填胶时，阻挡底填胶爬升至芯片本体的非功能面。该倒装芯片，在芯片本体和基板之间填充底填胶时，通过设置凹槽能够阻挡底填胶沿着芯片侧面爬升至芯片本体的非功能面，保证芯片本体非功能面的清洁，这样在芯片本体非功能面粘贴散热材料层时，芯片本体与散热材料层之间不会产生空洞，不会发生分层现象，提高芯片封装的可靠性。
本实用新型一种倒装芯片及倒装芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种倒装芯片，其特征在于，包括芯片本体，所述芯片本体功能面的中央区域设置有导电凸块阵列； 所述芯片本体功能面的边缘区域设置有凹槽，所述凹槽围设于所述导电凸块阵列的外侧；其中， 所述凹槽能够在向所述芯片本体和基板之间填充底填胶时，阻挡所述底填胶爬升至所述芯片本体的非功能面。
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