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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有改良的散热特性及电磁屏蔽特性的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910480913.0，技术领域涉及：H10W42/20；该发明授权具有改良的散热特性及电磁屏蔽特性的半导体封装是由金沅槿;吴琼硕;高知韩;金吉洙;金永锡;李政泌;陈华日;邢秀祯设计研发完成，并于2019-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有改良的散热特性及电磁屏蔽特性的半导体封装在说明书摘要公布了：一种半导体封装可包括：第一半导体芯片，位于布线衬底上并电连接到所述布线衬底；中间层，位于所述第一半导体芯片上且覆盖所述第一半导体芯片的整个表面；第二半导体芯片，位于所述中间层上并电连接到所述布线衬底；模制层，位于所述布线衬底上并覆盖所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片，所述模制层包括一个或多个内表面，所述一个或多个内表面界定模制通孔孔洞，所述模制通孔孔洞暴露出所述中间层的表面的一部分；电磁屏蔽层，位于所述模制层的所述一个或多个内表面上，且还位于所述模制层的一个或多个外表面上；以及散热层，位于所述模制通孔孔洞中的所述电磁屏蔽层上，使得所述散热层填充所述模制通孔孔洞。

本发明授权具有改良的散热特性及电磁屏蔽特性的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括： 第一半导体芯片，位于布线衬底上，所述第一半导体芯片电连接到所述布线衬底； 中间层，位于所述第一半导体芯片上，所述中间层覆盖所述第一半导体芯片的整个表面； 第二半导体芯片，位于所述中间层上，所述第二半导体芯片电连接到所述布线衬底； 模制层，位于所述布线衬底上，所述模制层覆盖所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片，所述模制层包括一个或多个内表面，所述一个或多个内表面至少局部地界定模制通孔孔洞，所述模制通孔孔洞暴露出所述中间层的表面的一部分； 电磁屏蔽层，位于所述模制层的所述一个或多个内表面上，所述电磁屏蔽层还位于所述模制层的一个或多个外表面上；以及 散热层，位于所述模制通孔孔洞中的所述电磁屏蔽层上，使得所述散热层填充所述模制通孔孔洞， 其中所述散热层的至少一部分在垂直于所述第一半导体芯片的上表面的方向上与所述第一半导体芯片的至少一部分重叠， 其中所述模制通孔孔洞包括多个模制通孔图案，所述多个模制通孔图案在所述中间层上沿一个方向延伸并彼此隔离开而不直接接触，且 其中所述模制层与所述第一半导体芯片的侧表面和下表面的至少一部分直接接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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