原子能和辅助替代能源委员会;国立科学研究中心;格勒诺布尔阿尔卑斯大学M·马丁获国家专利权
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龙图腾网获悉原子能和辅助替代能源委员会;国立科学研究中心;格勒诺布尔阿尔卑斯大学申请的专利用于感兴趣的半导体材料在硅衬底上的异质集成的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011095806.5，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权用于感兴趣的半导体材料在硅衬底上的异质集成的工艺是由M·马丁;T·巴龙;V·卢普设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于感兴趣的半导体材料在硅衬底上的异质集成的工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于感兴趣的半导体材料在硅衬底1上的异质集成的工艺，包括：‑结构化所述衬底的步骤，其包括在所述硅衬底1的表面上产生生长掩模2的步骤，所述生长掩模包括多个掩模图案20，两个掩模图案被其中暴露出所述硅衬底1的沟槽21分隔开；‑形成由2D材料制成的二维缓冲层5的步骤，所述缓冲层在其自由表面上没有侧键，并且选择性地形成在至少一个沟槽21中的[111]取向的硅平面3上，形成缓冲层的所述步骤在所述结构化步骤之后执行；‑在所述缓冲层5上形成感兴趣的半导体材料的至少一层61、62的步骤。感兴趣的半导体材料优选是IV‑IV、III‑V、II‑VI半导体材料和或2D半导体材料。
本发明授权用于感兴趣的半导体材料在硅衬底上的异质集成的工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于感兴趣的半导体材料在硅衬底1上的异质集成的工艺，其特征在于，所述工艺包括： -结构化所述衬底的步骤，其包括在所述硅衬底1的表面上产生生长掩模2的步骤，所述生长掩模包括多个掩模图案20，两个掩模图案被其中暴露出所述硅衬底1的沟槽21分隔开； -形成由2D材料制成的二维缓冲层5的步骤，所述缓冲层在其自由表面上没有侧键，并且选择性地形成在至少一个沟槽21中的[111]取向的硅平面3上，形成缓冲层的所述步骤在所述结构化步骤之后执行，并通过有机金属气相沉积MOCVD技术执行； -在所述缓冲层5上形成感兴趣的半导体材料的至少一层61、62的步骤； -钝化步骤，其包括将镓和硒的原子双平面沉积到[111]取向的所述硅平面3上，以便在所述平面上形成硅-镓-硒钝化表面4。
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