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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法以及掩膜版获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011137109.1，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体结构的形成方法以及掩膜版是由金吉松设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法以及掩膜版在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法以及掩膜版，形成方法包括：提供基底，包括目标层；在基底上形成核心材料层，包括第一区域以及环绕第一区域的第二区域；对第二区域的核心材料层进行离子掺杂，适于提高核心材料层的耐刻蚀度，位于第二区域的核心材料层作为抗刻蚀层，位于第一区域的核心材料层作为核心层；形成沿第一方向贯穿至少部分第一区域核心材料层的第一沟槽，在第二方向上第一沟槽的两侧保留有部分第一区域的核心材料层；在第一沟槽的侧壁上形成侧墙，使侧墙围成第一凹槽；去除核心层，形成第二凹槽；以抗刻蚀层和侧墙为掩膜，刻蚀第一凹槽和第二凹槽下方的目标层，形成目标图形。本发明实施例有利于进一步压缩目标图形之间的节距。

本发明授权半导体结构的形成方法以及掩膜版在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成目标图形的目标层； 在所述基底上形成核心材料层，所述核心材料层包括用于形成核心层的第一区域、以及环绕所述第一区域用于形成抗刻蚀层的第二区域； 对所述第二区域的所述核心材料层进行离子掺杂，适于提高所述核心材料层的耐刻蚀度，位于所述第二区域、掺杂有离子的所述核心材料层作为抗刻蚀层，位于所述第一区域、未掺杂有离子的所述核心材料层作为核心层； 形成沿第一方向贯穿至少部分所述第一区域的核心材料层的第一沟槽，与所述第一方向垂直的方向为第二方向，在所述第二方向上，所述第一沟槽的两侧保留有部分所述第一区域的核心材料层； 在所述第一沟槽的侧壁上形成侧墙，使所述侧墙围成第一凹槽； 在进行离子掺杂、以及形成所述侧墙之后，去除所述核心层，在所述抗刻蚀层中形成位于所述第一凹槽两侧的第二凹槽； 以所述抗刻蚀层和侧墙为掩膜，刻蚀所述第一凹槽和第二凹槽下方的目标层，形成目标图形； 其中，形成所述第一沟槽的步骤中，所述第一沟槽位于所述第一区域的核心材料层中，且在所述第一方向，所述第一沟槽的侧壁与所述第一区域同一侧的边界之间具有间隔； 去除所述核心层的步骤中，所述第二凹槽环绕所述第一凹槽。

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