南亚科技股份有限公司蔡镇宇获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有垂直栅极晶体管的半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110980392.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权具有垂直栅极晶体管的半导体结构及其制备方法是由蔡镇宇设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有垂直栅极晶体管的半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包含：一基底、一单元胞电容器、一通道结构、一衬垫材料、一字元线以及一位元线。该单元胞电容器设置在该基底上。该通道结构设置在该单元胞电容器上，其中该通道结构包括一水平组件以及至少两个垂直组件，该至少两个垂直组件从该水平组件延伸，并由在该水平组件上的一沟道所隔开。该衬垫材料围绕每一垂直组件。该字元线包围该至少两个垂直组件，并部分充填该沟道。该位元线设置在该通道结构上。
本发明授权具有垂直栅极晶体管的半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一基底； 一单元胞电容器，设置在该基底上； 一通道结构，设置在该单元胞电容器上，其中该通道结构包括一水平组件以及至少两个分开的垂直组件，该至少两个分开的垂直组件从该水平组件延伸； 一衬垫材料，围绕至少一个垂直组件设置； 一字元线，包围该至少两个分开的垂直组件设置；以及 一位元线，设置在该通道结构上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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