安乃达驱动技术(上海)股份有限公司黄洪岳获国家专利权
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龙图腾网获悉安乃达驱动技术(上海)股份有限公司申请的专利楔块式MOS管固定结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223968114U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520352358.4，技术领域涉及：H05K7/20；该实用新型楔块式MOS管固定结构是由黄洪岳;臧曙光;杨一设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本楔块式MOS管固定结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种楔块式MOS管固定结构，涉及控制器技术领域，包括：壳体、MOS管、主板、楔块结构；所述MOS管安装在主板上，安装有所述MOS管的主板固定设置在壳体内，所述壳体内还设置有凹槽结构，所述MOS管部分伸入凹槽结构与壳体内壁之间的间隙中；所述楔块结构配置在凹槽结构和MOS管之间，所述楔块结构包括第一楔块和第二楔块，所述第一楔块、第二楔块以及MOS管三者依次相互抵接配合。本实用新型通过设置楔块结构，利用紧固件调节楔块结构，使MOS管在安装时具有足够的安装间隙，MOS管安装到位后被楔块结构压在壳体上，保证了MOS管与壳体贴合的稳定性，保证了MOS管的散热效果。
本实用新型楔块式MOS管固定结构在权利要求书中公布了：1.一种楔块式MOS管固定结构，其特征在于，包括：壳体1、MOS管2、主板3、楔块结构4； 所述MOS管2安装在主板3上，安装有所述MOS管2的主板3固定设置在壳体1内，所述壳体1内还设置有凹槽结构，所述MOS管2部分伸入凹槽结构与壳体1内壁之间的间隙中； 所述楔块结构4配置在凹槽结构和MOS管2之间，所述楔块结构4包括第一楔块41和第二楔块42，所述第一楔块41、第二楔块42以及MOS管2三者依次相互抵接配合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安乃达驱动技术(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201100 上海市闵行区光中路133弄19号A座1-2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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