浙江迦美信芯通讯技术有限公司;杭州迦美信芯微电子有限公司;上海迦美信芯微电子有限公司;杭州迦美信芯通讯技术有限公司沈宇获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江迦美信芯通讯技术有限公司;杭州迦美信芯微电子有限公司;上海迦美信芯微电子有限公司;杭州迦美信芯通讯技术有限公司申请的专利一种双栅射频开关器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223968134U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520155188.0，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种双栅射频开关器件是由沈宇;谢婷婷;倪文海;徐文华设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双栅射频开关器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种双栅射频开关器件，涉及射频开关技术领域。本实用新型包括SOI晶圆的衬底层、埋氧层以及器件层；器件层包括源端、漏端、体端一、体端二、栅端一、栅端二；源端和漏端分布于单个NMOS开关器件的两边；体端一、体端二、栅端一以及栅端二分布在源端和漏端的中间；栅端一分布于体端一的上部；栅端二分布于体端二的上面。本实用新型基于SOI工艺设计的双栅NMOS开关器件方案不仅可以有效减小射频开关芯片的版图面积，相同设计指标情况下可以减少30％到35％的射频版图面积，有效减少芯片成本，提升芯片的竞争力。同时，双栅NMOS开关器件的导通阻抗也会明显减小，有效提高射频开关电路的低频插损性能。
本实用新型一种双栅射频开关器件在权利要求书中公布了：1.一种双栅射频开关器件，其特征在于，包括SOI晶圆的衬底层、埋氧层以及器件层； 所述器件层包括源端S、漏端D、体端一B1、体端二B2、栅端一G1、栅端二G2； 所述源端S和漏端D分布于单个NMOS开关器件的两边； 所述体端一B1、体端二B2、栅端一G1以及栅端二G2分布在源端S和漏端D的中间，同时体端一B1、体端二B2、栅端一G1以及栅端二G2的端口一一对应； 所述栅端一G1分布于体端一B1的上部；栅端二G2分布于体端二B2的上面。
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