迈巨微(上海)电子技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉迈巨微(上海)电子技术有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223968135U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520489839.X,技术领域涉及:H10D30/66;该实用新型半导体器件是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成,并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了:本公开提供了一种半导体器件,包括:半导体层,半导体层具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面;位于第一主表面上的第一金属层;以及位于第二主表面上的第二金属层;半导体层包括:基极层;位于基极层与第一金属层之间的第一掺杂硅层;位于基极层与第二金属层之间的第二掺杂硅层;栅极层,栅极层由第一掺杂硅层延伸,穿过基极层延伸至第二掺杂硅层;第一绝缘介质层,至少将栅极层与基极层、第一掺杂硅层及第二掺杂硅层隔离。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括: 半导体层,半导体层具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面; 位于第一主表面上的第一金属层;以及 位于第二主表面上的第二金属层; 半导体层包括: 基极层; 位于基极层与第一金属层之间的第一掺杂硅层; 位于基极层与第二金属层之间的第二掺杂硅层; 栅极层,栅极层由所述第一掺杂硅层延伸,穿过所述基极层延伸至所述第二掺杂硅层;以及 第一绝缘介质层,至少将栅极层与基极层、第一掺杂硅层及第二掺杂硅层隔离。
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