深圳市南方芯谷微电子有限公司谢大盛获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市南方芯谷微电子有限公司申请的专利一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223968136U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520423013.3，技术领域涉及：H10D84/40；该实用新型一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备是由谢大盛;陈东纯设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备，内置电阻的MOS管芯片包括设置有栅极与源极的顶层以及设置有漏极的底层；所述顶层上还设置有第一走线电阻结构与第二走线电阻结构，所述第一走线电阻结构与所述栅极连接，所述第二走线电阻结构的一端与所述栅极连接，所述第二走线电阻结构的另一端与所述源极连接。本实用新型通过在MOS管内部集成第一走线电阻结构与第二走线电阻结构，以解决MOS管存在的DS之间弱导通以及MOS管导通时间太短会容易导致损坏、并且控制端也容易起振荡的问题，相对在MOS管外围连接电阻的方式，本实用新型的成本更低。
本实用新型一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种内置电阻的MOS管芯片，其特征在于，包括设置有栅极与源极的顶层以及设置有漏极的底层；所述顶层上还设置有第一走线电阻结构与第二走线电阻结构，所述第一走线电阻结构与所述栅极连接，所述第二走线电阻结构的一端与所述栅极连接，所述第二走线电阻结构的另一端与所述源极连接。
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