上海和辉光电股份有限公司游方伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海和辉光电股份有限公司申请的专利电路组合结构及显示装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223968172U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520420741.9，技术领域涉及：H10K59/82；该实用新型电路组合结构及显示装置是由游方伟;李伟譞;王涉华设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本电路组合结构及显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种电路组合结构以及显示装置，所述电路组合结构包括：基板组件；至少一存储电容电极，存储电容电极设置于基板组件上，存储电容电极用于保存数据信号；至少一信号线，信号线设置于基板组件上，信号线用于输送使能信号；其中，存储电容电极靠近信号线的一侧形成有寄生电容产生区域，存储电容电极与信号线之间形成有一间隔，寄生电容产生区域的尺寸小于间隔的尺寸。通过对本实用新型的应用，提供了一种适用于显示装置的电路组合结构，通过对存储电容电极和信号线的组合设置能够有效改善因电容耦合造成的显示器画面不均问题，尤其是降低了使能信号通过寄生电容对数据信号造成的耦合干扰，进而保障了显示器的性能。
本实用新型电路组合结构及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种电路组合结构，其特征在于，包括： 基板组件； 至少一存储电容电极，所述存储电容电极设置于所述基板组件上，所述存储电容电极用于保存数据信号； 至少一信号线，所述信号线设置于所述基板组件上，所述信号线用于输送使能信号； 其中，所述存储电容电极靠近所述信号线的一侧形成有寄生电容产生区域，所述存储电容电极与所述信号线之间形成有一间隔，所述寄生电容产生区域的尺寸小于所述间隔的尺寸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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