台湾积体电路制造股份有限公司林明贤获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223968203U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520040338.3，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型半导体结构是由林明贤;廖堃砚;吴佳典设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：提供一种半导体结构，其包括具有第一区和第二区的半导体管芯。半导体管芯包括位于第二区中的装置层、在第一区和第二区之上延伸的绝缘材料、以及嵌入在绝缘材料中并与装置层电连接的多个金属化结构。多个金属化结构包括位于第一区中的多个无源装置结构和位于第二区中的多条热迹线，以及多个无源装置结构与多条热迹线的材料相同且共齐平。多个无源装置结构与装置层电连接，且多条热迹线为电浮置。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体管芯，具有第一区和位于所述第一区旁边的第二区，其中所述半导体管芯包括： 装置层，位于所述第二区中； 绝缘材料，位于所述装置层之上并在所述第一区和所述第二区之上延伸；以及 多个金属化结构，嵌入所述绝缘材料并与所述装置层电连接，以及 其中所述多个金属化结构包括位于所述第一区中的多个无源装置结构和位于所述第二区中的多条热迹线，所述多个无源装置结构和所述多条热迹线的材料相同且位于与所述多个金属化结构的同一水平处，所述多个无源装置结构与所述装置层电连接，以及所述多条热迹线为电浮置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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