住友电气工业株式会社住吉和英获国家专利权
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龙图腾网获悉住友电气工业株式会社申请的专利形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447536B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010911205.0，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件是由住吉和英;冈田政也;井上和孝;米村卓巳设计研发完成，并于2020-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请发明涉及形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件。在氮化物半导体层上形成氮化硅钝化膜的方法包含以下步骤：将包含氮化物半导体层的衬底引入反应炉中，将所述反应炉内的气氛从空气置换为氨气NH3气氛或氢气H2气氛，将所述反应炉内的温度升高至第一温度，将所述反应炉内的温度保持在所述第一温度并且将所述反应炉内的气氛保持为NH3气氛或H2气氛三分钟以上，将所述反应炉内的温度降低至低于所述第一温度的第二温度，以及通过在所述反应炉中在100Pa以下的第一压力下向所述反应炉中供给二氯硅烷SiH2Cl2而形成所述氮化硅钝化膜。
本发明授权形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种通过LPCVD法在氮化物半导体层上形成氮化硅钝化膜的方法，所述方法包含以下步骤： 将包含所述氮化物半导体层的衬底引入反应炉中； 将所述反应炉内的气氛从空气置换为氨气NH3气氛或氢气H2气氛； 将所述反应炉内的温度升高至第一温度； 将所述反应炉内的温度保持在所述第一温度并且将所述反应炉内的气氛保持为NH3气氛或H2气氛三分钟以上； 将所述反应炉内的温度降低至低于所述第一温度的第二温度；以及 通过在所述反应炉中在100Pa以下的第一压力下将二氯硅烷SiH2Cl2供给到所述反应炉中而形成所述氮化硅钝化膜。
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