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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112542467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010984502.8，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法是由丁相勋;洪祥准;沈善一;金坰显;文彰燮设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法在说明书摘要公布了：本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括依次堆叠在包括单元阵列区域和延伸区域的衬底上的水平电极、以及在水平电极之间的水平绝缘层。该半导体存储器件还可以包括穿透堆叠结构的垂直结构，垂直结构中的第一垂直结构在单元阵列区域上，并且垂直结构中的第二垂直结构在延伸区域上。每个垂直结构包括沟道层以及依次堆叠在沟道层的侧壁上的隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层。第一垂直结构的电荷存储层包括电荷存储图案，电荷存储图案在垂直于衬底的顶表面的方向上彼此间隔开且水平绝缘层插置在其间。第二垂直结构的电荷存储层沿着水平电极的侧壁和水平绝缘层的侧壁延伸。

本发明授权半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括： 堆叠结构，包括： 水平电极，依次堆叠在包括单元阵列区域和延伸区域的衬底上；以及 在所述水平电极之间的水平绝缘层；以及 穿透所述堆叠结构的垂直结构，所述垂直结构中的第一垂直结构在所述单元阵列区域上，所述垂直结构中的第二垂直结构在所述延伸区域上； 其中所述垂直结构中的每个包括： 沟道层；以及 依次堆叠在所述沟道层的侧壁上的隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层， 其中所述第一垂直结构的所述电荷存储层包括电荷存储图案，所述电荷存储图案在垂直于所述衬底的顶表面的方向上彼此间隔开且所述水平绝缘层插置在其间；以及 其中所述第二垂直结构的所述电荷存储层沿着所述水平电极的侧壁和所述水平绝缘层的侧壁延伸， 其中所述水平电极中的每个在所述单元阵列区域上在垂直于所述衬底的所述顶表面的所述方向上具有第一厚度，并且在所述延伸区域上在垂直于所述衬底的所述顶表面的所述方向上具有第二厚度，以及 其中所述第二厚度大于所述第一厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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