ASM IP私人控股有限公司姜熙成获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利基底处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010999688.4，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权基底处理方法是由姜熙成;闵允基;林完奎;吴锡宰;曹成日设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基底处理方法在说明书摘要公布了：一种基底处理方法，其能够实现形成在阶梯结构上的薄膜的整个厚度范围中的均匀的蚀刻选择性，该方法包括：通过执行多个循环而在基底上形成薄膜，该循环包括形成至少一层以及在第一处理条件下将等离子体施加到该至少一层；以及在不同于第一处理条件的第二处理条件下将等离子体施加到薄膜。
本发明授权基底处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基底处理方法，包括： 通过执行多个循环而在基底上形成薄膜，每个循环包括形成至少一层以及在第一处理条件下将等离子体施加到所述至少一层；以及 在不同于所述第一处理条件的第二处理条件下将等离子体施加到所述薄膜； 其中，形成所述至少一层包括： 供应第一气体； 吹扫所述第一气体；以及 供应第二气体并施加等离子体以形成第一层； 其中，在供应所述第二气体和施加等离子体以形成所述第一层期间，将反应空间中的压力保持在第一压力，并且 在所述第一处理条件下施加等离子体期间，将所述反应空间中的压力保持在低于所述第一压力的第二压力； 其中，在所述第一处理条件下施加等离子体期间供应的功率大于在供应所述第二气体和施加等离子体以形成所述第一层期间供应的功率。
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