英飞凌科技股份有限公司H·梅尔兹纳获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利晶体管器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687683B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011071730.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权晶体管器件是由H·梅尔兹纳;M·丹克尔;P·伊尔斯格勒;S·施密特;H-J·舒尔策设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管器件在说明书摘要公布了：公开了一种晶体管器件。该晶体管器件包括：半导体本体100；多个单元区域1，各自包括多个晶体管单元10，其至少部分地集成在半导体本体100中并且各自包括相应的栅极电极16；多个布线通道6，各自布置在两个或更多个单元区域1之间；栅极焊盘31，布置在半导体本体的第一表面101上方；和多个栅极流道2，各自耦合至栅极焊盘并且各自布置在多个布线通道之一中。多个栅极流道中的每个与多个单元区域之一相关联，使得多个单元区域中的每个中的栅极电极连接到相关联的栅极流道，并且多个布线通道中的每个包括两个或更多个平行且彼此间隔开布线的栅极流道。
本发明授权晶体管器件在权利要求书中公布了：1.一种晶体管器件，包括： 半导体本体100； 多个单元区域1，各自包括多个晶体管单元10，所述多个晶体管单元至少部分地集成在所述半导体本体100中并且各自包括相应的栅极电极16； 多个布线通道6，各自布置在两个或更多个所述单元区域1之间； 栅极焊盘31，布置在所述半导体本体100的第一表面101上方；和 多个栅极流道2，各自耦合至所述栅极焊盘31并且各自布置在所述多个布线通道6之一中， 其中所述多个栅极流道2中的每个栅极流道与所述多个单元区域1之一相关联，使得所述多个单元区域1中的每个单元区域中的所述栅极电极16连接到相关的栅极流道2，并且 其中所述多个布线通道6中的每个布线通道包括两个或更多个平行且彼此间隔开布线的栅极流道2。
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