富士电机株式会社小川裕贵获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置和半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112928092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011178384.8，技术领域涉及：H10W70/695；该发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法是由小川裕贵设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法，削减制造成本而进行特性改善。半导体装置10具有绝缘电路基板22，该基板具有：散热板25，具备正面；树脂基板23，具备正面和固接于该正面的背面，且含有树脂；电路图案24a、24b，具备正面和固接于该正面的背面。半导体装置10具有接合于正面的第一半导体芯片21a、第二半导体芯片21b和外部连接端子41a中的至少任一方，电路图案24b的至少对置的一对侧部各自由树脂基板23支撑。在这样的半导体装置10中，在通过超声波接合将外部连接端子41a接合于电路图案24b时，电路图案24b由于由树脂基板23支撑，所以不会从树脂基板23剥离。
本发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 绝缘电路基板，其具有散热板、树脂基板和电路图案，所述散热板具备第一正面，所述树脂基板具备第二正面和固接于所述第一正面的第二背面且所述树脂基板含有树脂，所述电路图案具备第三正面和固接于所述第二正面的第三背面； 半导体芯片，其接合于所述第三正面；以及 引线框，其通过超声波接合与所述第三正面接合， 通过超声波接合而接合有所述引线框的所述电路图案的至少对置的一对侧部各自由所述树脂基板支撑。
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