富士电机株式会社宫坂利幸获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113163586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011325653.9，技术领域涉及：H05K1/05；该发明授权半导体装置是由宫坂利幸;日向裕一朗设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够降低产生对印刷电路基板的损伤的半导体装置，其具有：绝缘电路基板；印刷电路基板，其贯通孔34a贯通主表面；外部端子，其被压入贯通孔34a而插通贯通孔34a，并且一端部固接在绝缘电路基板的正面。印刷电路基板具备：支承区域35，其在主表面包含贯通孔34a；以及缓冲区域36，其包围支承区域35，保留与支承区域35连接的扭力部36b而开口有缓冲孔36a。根据外部端子的变形，印刷电路基板的包含贯通孔34a的支承区域35根据扭力部36b的挠曲而变形。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 基板； 印刷电路基板，其贯通孔贯通主表面；以及 外部端子，其被压入所述贯通孔而插通所述贯通孔，并且一端部固接于所述基板的正面， 所述印刷电路基板具备：支承区域，其在所述主表面包含所述贯通孔；缓冲区域，其包围所述支承区域，保留与所述支承区域连接的扭力部而开口有缓冲孔；绝缘板；以及电路图案，其形成在所述绝缘板的正面， 所述缓冲区域沿被开口的区域的周缘部而露出所述绝缘板的正面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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