三星电子株式会社李相在获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利支持高集成度的其中具有堆叠结构的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010965562.5，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权支持高集成度的其中具有堆叠结构的半导体装置是由李相在;金在炯;殷东锡设计研发完成，并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本支持高集成度的其中具有堆叠结构的半导体装置在说明书摘要公布了：提供了具有堆叠结构的半导体装置。所述半导体装置包括在下堆叠结构上延伸的上堆叠结构，下堆叠结构在下面的基底上延伸。沟道结构延伸通过上堆叠结构和下堆叠结构。下堆叠结构包括设置为与下堆叠结构和上堆叠结构之间的界面相邻的第一下电极层以及设置为与下堆叠结构的中心相邻的第二下电极层。上堆叠结构包括设置为与界面相邻的第一上电极层以及设置为与上堆叠结构的中心相邻的第二上电极层。第一下电极层和第一上电极层中的至少一个比第二下电极层厚。至少一个绝缘层设置在第一下电极层与第一上电极层之间。
本发明授权支持高集成度的其中具有堆叠结构的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 基底，在基底上设置有下堆叠结构，所述下堆叠结构包括交替垂直布置的多个下绝缘层和多个下电极层，并且所述多个下电极层包括至少第一下电极层和第二下电极层； 上堆叠结构，位于下堆叠结构上，所述上堆叠结构包括交替垂直布置的多个上绝缘层和多个上电极层，并且所述多个上电极层包括至少第一上电极层和第二上电极层；以及 沟道结构，至少部分地延伸通过上堆叠结构并且至少部分地延伸通过下堆叠结构， 其中，第一下电极层和或第一上电极层比延伸为与下堆叠结构的中心相邻的第二下电极层厚； 其中，所述多个下绝缘层中的至少一个下绝缘层和所述多个上绝缘层中的至少一个上绝缘层设置在第一下电极层与第一上电极层之间； 其中，在所述多个下电极层中，第一下电极层设置为距下堆叠结构与上堆叠结构之间的界面最近；并且 其中，在所述多个上电极层中，第一上电极层设置为距所述界面最近。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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