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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种微波化合物半导体器件全流程建模方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121212049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511755763.1，技术领域涉及：G06F30/36；该发明授权一种微波化合物半导体器件全流程建模方法及系统是由毛书漫;姚翔宇;乔炳赫;徐跃杭设计研发完成，并于2025-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微波化合物半导体器件全流程建模方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微波化合物半导体器件全流程建模方法及系统，涉及微波电子器件技术领域。该方法包括器件模型新建、实测数据导入、小信号模型参数提取、非线性电流模型参数提取、非线性电容模型参数提取、模型全局验证六大步骤，实现覆盖全流程的一站式参数提取，集成解析与优化算法提升参数精度；通过多偏置S参数、电流特性、电容特性、功率扫描特性和负载牵引圆图共五个维度全局验证，结合商用微波仿真软件，输出可直接加载的VerilogA模型。本发明解决了现有技术流程不连贯、验证维度不足的问题，提升建模效率与模型精度，为高频高功率电子器件提供精准模型支撑。

本发明授权一种微波化合物半导体器件全流程建模方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种微波化合物半导体器件全流程建模方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在器件管理模块中，定义新器件的序号、批次、日期以及所使用模型，完成器件模型新建； S2、导入夹断电压S参数测试数据、多偏置S参数测试数据、静态IV测试数据、脉冲IV测试数据、栅电流数据、功率扫描数据和阻抗圆图数据，并进行基本信息显示和可视化展示； S3、对于小信号模型，依次提取并剥离寄生电容、寄生电感、寄生电阻，结合剥离所有寄生参数后的多偏置S参数计算本征参数； S4、对于非线性电流模型，剥离寄生电阻并提取栅电流模型参数，剥离栅电流影响并提取无色散效应的漏极电流模型参数，利用最小二乘法提取色散效应相关的漏极电流模型参数； S5、对于非线性电容模型，从本征参数中获取多偏置Cgs和Cgd离散数据及其偏置信息，采用最小二乘法拟合提取非线性电容Cgs和Cgd模型参数； S6、对多偏置S参数、电流特性、电容特性、功率扫描特性和负载牵引圆图进行验证，验证完成后导出VerilogA模型文件； S4的具体步骤为： 根据S2导入的静态IV测试数据、脉冲IV测试数据、栅电流数据以及S3提取的寄生电阻进行寄生电阻剥离，获得器件本征偏置电压和电流；采用最小二乘法拟合剥离寄生电阻后的栅电流数据在不同偏置条件下的电流-电压特性，获取栅电流模型参数； 根据栅电流模型参数计算全偏置范围下的栅极电流，结合剥离寄生电阻后的脉冲IV测试数据计算扣除栅极电流的本征漏极电流分量；采用最小二乘法拟合脉冲电流实测数据，提取得到不考虑色散效应的漏极电流模型参数； 根据不考虑色散效应的漏极电流模型参数和剥离寄生电阻后的静态IV测试数据，采用最小二乘法拟合静态IV测试数据，获取色散效应相关的漏极电流模型参数。

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