台湾积体电路制造股份有限公司吴承润获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223978976U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423015428.1，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型半导体器件是由吴承润;黄健豪;姜慧如设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体器件包括存储单元结构，存储单元结构包括晶体管结构及存储结构。晶体管结构的栅极电极在大致上垂直于半导体器件的衬底的表面的方向上延伸，这使得在存储单元结构的水平或横向尺寸有最小的增加到不增加的情况下能够增加栅极长度。通道层环绕栅极电极的侧壁及底表面以形成圆柱形通道，这增加了晶体管结构的通道面积，其使得存储单元结构能够达到低漏电流，并且使得在半导体器件中能够实现存储单元结构的高横向密度。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 多个后端介电层；以及 存储单元结构，在所述多个后端介电层中，包括： 存储结构；以及 晶体管结构，在所述存储结构上方，包括： 第一源极汲极区域； 第二源极汲极区域，在所述第一源极汲极区域上方； 栅极电极，在所述第一源极汲极区域以及所述第二源极汲极区域之间延伸；以及 通道层，在所述第一源极汲极区域以及所述第二源极汲极区域之间延伸， 其中所述通道层围绕所述栅极电极的周缘。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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