重庆万国半导体科技有限公司周振强获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆万国半导体科技有限公司申请的专利一种具有功率钳位功能的IGBT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223978977U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520410465.8，技术领域涉及：H10D12/00；该实用新型一种具有功率钳位功能的IGBT器件是由周振强设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有功率钳位功能的IGBT器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种具有功率钳位功能的IGBT器件，包括P区、N型缓冲区、N‑漂移区、P型体区、N+区、P+区、正面沟槽栅结构、集电极金属和发射极金属；所述P区设置有向上伸入N型缓冲区的背面沟槽栅结构，所述背面沟槽栅结构在IGBT器件的背面形成SBR结构。本实用新型中，通过在IGBT器件上增加背面沟槽栅结构，在受到较大电压冲击时能够限制住漂移区的电阻降低幅度，从而避免流经它的电流的明显增加，提高了此类恶劣工况下IGBT器件的使用寿命。
本实用新型一种具有功率钳位功能的IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有功率钳位功能的IGBT器件，其特征在于：包括从下至上依次设置的P区、N型缓冲区和N-漂移区，所述P区的下端设置有集电极金属；所述P区设置有向上伸入N型缓冲区的背面沟槽栅结构，所述背面沟槽栅结构在IGBT器件的背面形成SBR结构；所述N-漂移区的上部设置有P型体区，所述P型体区设置有正面沟槽栅结构，所述正面沟槽栅结构向下贯穿P型体区，并伸入N-漂移区中；所述P型体区的上部对应正面沟槽栅结构的两侧分别设置有一N+区，所述N+区远离正面沟槽栅结构的一侧设置有P+区；所述P型体区的上端设置有介质层，所述介质层上设置有发射极金属，所述发射极金属通过在介质层上开设的接触孔与P+区和N+区连接。
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