泰科天润半导体科技(北京)有限公司张瑜洁获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种降低体二极管压降的碳化硅MOSFET获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223978978U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520548882.9，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种降低体二极管压降的碳化硅MOSFET是由张瑜洁;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低体二极管压降的碳化硅MOSFET在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种降低体二极管压降的碳化硅MOSFET，包括：外延层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；外延层内设有第一凹槽；P型基区设于第一凹槽内，P型基区内设有第二凹槽；N+源区设于第二凹槽内；P+源区设于第二凹槽内，且P+源区外侧面连接至N+源区内侧面；栅氧层下侧面连接至N+源区、P型基区以及外延层；多晶硅电极层下侧面连接至栅氧层上侧面；第一接触金属层下侧面连接至N+源区；第二接触金属层下侧面连接至P+源区，第二接触金属层连接至第一接触金属层；第一接触金属层的金属功函数小于第二接触金属层的金属功函数；减小导通电阻的基础上，降低了体二极管的正向压降，也降低了MOSFET在电路中应用时的损耗。
本实用新型一种降低体二极管压降的碳化硅MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种降低体二极管压降的碳化硅MOSFET，其特征在于：包括： 碳化硅衬底； 外延层，所述外延层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述外延层内设有第一凹槽； P型基区，所述P型基区设于所述第一凹槽内，所述P型基区内设有第二凹槽； N+源区，所述N+源区设于所述第二凹槽内； P+源区，所述P+源区设于所述第二凹槽内，且所述P+源区外侧面连接至所述N+源区内侧面； 栅氧层，所述栅氧层下侧面连接至所述N+源区、P型基区以及外延层； 多晶硅电极层，所述多晶硅电极层下侧面连接至所述栅氧层上侧面； 第一接触金属层，所述第一接触金属层下侧面连接至所述N+源区； 以及，第二接触金属层，所述第二接触金属层下侧面连接至所述P+源区，所述第二接触金属层连接至所述第一接触金属层；所述第一接触金属层的金属功函数小于所述第二接触金属层的金属功函数。
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