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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223978979U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520391899.8，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS是由李昀佶;周海;施广彦;何佳设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底，漂移层上设有凸起部，凸起部上设有凹槽；P型阱区连接至凸起部；N型源区连接至P型阱区；P型源区连接至漂移层、凸起部、P型阱区以及N型源区；低阻区设于凹槽内；第一绝缘介质层下部设于凹槽内；第一绝缘介质层内设有第一沟槽；第二绝缘介质层下部设于凹槽内；第二绝缘介质层内设有第二沟槽；第一栅极金属层设于第一沟槽内；第二栅极金属层设于第二沟槽内；第一源极金属层下部设于凹槽内；第二源极金属层分别连接P型源区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底；降低器件的驱动损耗和体二极管损耗。

本实用新型一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有凸起部，所述凸起部上设有凹槽； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述凸起部上侧面； N型源区，所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区上侧面； P型源区，所述P型源区连接至所述漂移层上侧面；所述P型源区内侧面连接至所述凸起部外侧面、P型阱区外侧面以及N型源区外侧面； 低阻区，所述低阻区设于所述凹槽内； 第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层下部设于所述凹槽内，且所述第一绝缘介质层下侧面连接至所述低阻区上侧面，所述第一绝缘介质层的一侧面连接至P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述第一绝缘介质层内设有第一沟槽； 第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层下部设于所述凹槽内，且所述第二绝缘介质层下侧面连接至所述低阻区上侧面，所述第二绝缘介质层的一侧面连接至P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述第二绝缘介质层内设有第二沟槽； 第一栅极金属层，所述第一栅极金属层设于所述第一沟槽内； 第二栅极金属层，所述第二栅极金属层设于所述第二沟槽内； 第一源极金属层，所述第一源极金属层下部设于所述凹槽内，且所述第一源极金属层下侧面连接至所述低阻区上侧面，所述第一源极金属层侧面分别连接所述第一绝缘介质层另一侧面以及第二绝缘介质层另一侧面； 第二源极金属层，所述第二源极金属层分别连接所述P型源区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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