台湾积体电路制造股份有限公司王之妤获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及晶片级半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223979112U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423133991.9，技术领域涉及：H10W70/65；该实用新型半导体封装结构及晶片级半导体结构是由王之妤;王博汉;胡毓祥;郭宏瑞设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及晶片级半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种示例性半导体封装结构可以包括第一重分布层及附接到第一重分布层的第一半导体管芯。第一半导体管芯可以包括第一前侧电触点及第一背侧电触点，使得第一前侧电触点电连接到第一重分布层。半导体封装结构还可包括形成在第一半导体管芯上方的第二重分布层，使得第二重分布层电连接至第一半导体管芯的第一背侧电触点以及附接至第二重分布层并垂直定位在第一半导体管芯上方的第二半导体管芯。第一半导体管芯可包括至少两个间隔至少50微米的对位标记。第一半导体管芯及第二重分布层的对位之间的覆盖误差可小于或等于0.5微米。
本实用新型半导体封装结构及晶片级半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 第一重分布层； 第一半导体管芯，附接至所述第一重分布层，其中所述第一半导体管芯包括第一前侧电触点以及第一背侧电触点，使得所述第一前侧电触点电连接至所述第一重分布层； 第二重分布层，形成于所述第一半导体管芯上方，使得所述第二重分布层电连接至所述第一半导体管芯的所述第一背侧电触点；以及 第二半导体管芯，附接至所述第二重分布层并垂直地定位于所述第一半导体管芯上方， 其中所述第一半导体管芯还包括至少两个对位标记，其彼此相隔至少50微米。
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