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龙图腾网获悉剑桥集成公司申请的专利功率半导体封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223979116U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520351255.6，技术领域涉及：H10W74/10；该实用新型功率半导体封装结构是由阿默·侯赛因·阿卜杜·詹那比;龙腾设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种功率半导体封装结构，包括基板、功率半导体芯片、PCB板、封装密封层；基板上部导电金属层包括通过分隔槽物理分隔并且电气绝缘的左侧金属层和右侧金属层；左侧金属层上靠近分隔槽的一侧设有下沉的左安装平台，右侧金属层的中间部分设有下沉的右安装平台，右安装平台用于设置芯片，PCB板架设左安装平台和右安装平台上；芯片漏极与右安装平台互联；左侧金属层通过PCB板连接到芯片源极上，PCB板在右侧金属层一侧的边沿上设有用于与功率半导体封装结构的外部驱动电路连接的延长部，延长部将芯片的栅极和源极与外部电路的驱动电路连接。PCB板反面设有与左安装平台电连接的基板连接部；PCB板反面设有与芯片的源极互联的芯片连接部。

本实用新型功率半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体封装结构100，包括基板200、功率半导体芯片300、连接功率半导体芯片300和基板200上相应部位的互联印制电路板PCB400；其特征在于：所述基板上设有包裹功率半导体芯片300和互联印制电路板PCB400的封装密封层600； 基板200包括中间绝缘层202、基板上部导电金属层201、基板下部导电金属层203，基板下部导电金属层203用以连接散热器；基板上部导电金属层201的包括通过分隔槽205物理分隔并且电气绝缘的左侧金属层207和右侧金属层206；左侧金属层207上靠近分隔槽205的一侧设有下沉的左安装平台208，右侧金属层206的中间部分设有下沉的右安装平台204，右安装平台204用于设置功率半导体芯片300，互联印制电路板PCB400架设左安装平台208和右安装平台204上； 功率半导体芯片300的漏极303位于底部，功率半导体芯片300的源极301和栅极302位于顶部；功率半导体芯片的漏极303与右安装平台204互联；左侧金属层207通过互联印制电路板PCB400连接到功率半导体芯片300的源极301上，互联印制电路板PCB400在靠近右侧金属层206一侧的边沿上设有用于与功率半导体封装结构的外部驱动电路连接的延长部401，延长部401将功率半导体芯片300的源极301和栅极302与外部电路的驱动电路连接； 互联印制电路板PCB400包括绝缘衬底402，互联印制电路板PCB反面设有基板连接部420，基板连接部420与基板200上面的左安装平台208电连接，左侧金属层207铜层的较高面作为整个功率半导体封装结构100对外的接口；互联印制电路板PCB400反面设有与功率半导体芯片的源极301互联的功率半导体芯片连接部422； 互联印制电路板PCB400正面的基板对应部410与反面的基板连接部420之间通过若干第一导电过孔电气互联；互联印制电路板PCB400反面设有与栅极302相连接的栅极连接部423，互联印制电路板PCB400正面的芯片对应部与反面的功率半导体芯片连接部422为通过若干第二导电过孔电气互联； 互联印制电路板PCB400的延长部401以及基板上面的两远端左侧金属层207和右侧金属层206顶面露出封装密封层600用于和外部主电路互联。

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