世界先进积体电路股份有限公司虞济华获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113161324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010106310.7，技术领域涉及：H10W44/00；该发明授权半导体装置及其制作方法是由虞济华;龚世宗;仲文君;洪翊紘设计研发完成，并于2020-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括基底、设置于基底上的电容结构以及互连结构，电容结构设置于基底上且位于电容结构区，其包括下电极板、上电极板、堆叠介电层以及中间介电层。上电极板设置于下电极板之上，且堆叠介电层设置于下电极板及上电极板之间。中间介电层设置于下电极板与上电极板之间，且中间介电层仅位于电容结构区。中间介电层的介电常数高于堆叠介电层的介电常数。互连结构包括至少一插塞与一金属叠层，互连结构位于与电容结构区相邻的连线区，且设置于中间介电层的至少一侧。
本发明授权半导体装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一基底；以及 一电容结构，设置于所述基底上且位于一电容结构区，其中所述电容结构包括： 一下电极板； 一上电极板，设置于所述下电极板之上； 一堆叠介电层，设置于所述下电极板及所述上电极板之间； 一中间介电层，设置于所述下电极板与所述上电极板之间，且所述中间介电层仅位于所述电容结构区且所述中间介电层的介电常数高于所述堆叠介电层的介电常数，其中所述上电极板会覆盖部分所述中间介电层，且被所述上电极板覆盖的所述中间介电层的所述部分的厚度会大于所述中间介电层其他部分的厚度；以及 一互连结构，包括至少一插塞与一金属叠层，所述互连结构位于与所述电容结构区相邻的一连线区，其中所述互连结构设置于所述中间介电层的至少一侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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