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龙图腾网获悉福建新峰二维材料科技有限公司申请的专利一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388639B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011132671.5，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法是由许志设计研发完成，并于2020-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铸锭晶硅异质结太阳能电池，包括：铸锭晶硅衬底，所述铸锭晶硅衬底含有多个生长方向不同的晶粒；设置在铸锭晶硅衬底表面的金字塔绒面，其中，金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置具有平滑的弧形结构；设置在金字塔绒面表面的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层，其中，所述弧形结构上的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度比金字塔绒面的斜面上本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度更厚；设置在掺杂型非晶硅膜层之上的透明导电膜层；及设置在透明导电膜层之上的金属电极。

本发明授权一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种铸锭晶硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述方法包括步骤如下：去除铸锭晶硅衬底的杂质；对已去除杂质的铸锭晶硅衬底制作金字塔绒面；对已制作金字塔绒面的铸锭晶硅衬底进行区域圆滑处理，在金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置形成平滑的弧形结构；对铸锭晶硅衬底清洗并去除氧化层；对铸锭晶硅衬底两面沉积本征型非晶硅膜层和掺杂型非晶硅膜层进行钝化并形成PN结；在掺杂型非晶硅膜层上沉积透明导电膜层；及在透明导电膜层上形成金属电极； 所述去除铸锭晶硅衬底的杂质，为通过溶液预清洁去除有机污染和大颗粒，再表面沉积一层含磷硅氧的混合膜层后高温扩散去除杂质； 所述对已制作金字塔绒面的铸锭晶硅衬底进行区域圆滑处理，在金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置形成平滑的弧形结构，为先采用酸性蚀刻液对金字塔绒面进行初步蚀刻，再用碱性微蚀液对金字塔绒面进行进一步蚀刻； 所述铸锭晶硅异质结太阳能电池，包括：铸锭晶硅衬底，所述铸锭晶硅衬底含有多个生长方向不同的晶粒；设置在铸锭晶硅衬底表面的金字塔绒面，其中，金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置具有平滑的弧形结构；设置在金字塔绒面表面的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层，其中，所述弧形结构上的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度比金字塔绒面的斜面上本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度更厚；设置在掺杂型非晶硅膜层之上的透明导电膜层；及设置在透明导电膜层之上的金属电极； 所述金字塔绒面高度为0.5-10微米；弧形结构的弧度长为0.1-1微米。

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