爱思开海力士有限公司吴星来获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110521461.3，技术领域涉及：G11C29/44；该发明授权半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法是由吴星来设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法。一种半导体存储器装置包括：多个平面，其限定在多个芯片区域中；以及救援电路，其被配置为禁用多个平面当中的故障平面并使能多个平面当中的正常平面，其中，半导体存储器装置仅用被使能的正常平面进行操作。
本发明授权半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 多个平面，所述多个平面被限定在多个芯片区域中； 救援电路，该救援电路被配置为禁用所述多个平面当中的故障平面并使能所述多个平面当中的正常平面；以及 主焊盘区域，该主焊盘区域具有能够与外部装置接口连接的多个主焊盘，所述多个主焊盘包括分别对应于所述多个平面的多个平面使能焊盘，所述多个平面使能焊盘接收用于使能相应平面的平面使能信号以单独地使能或独立地测试所述相应平面， 其中，所述半导体存储器装置仅用被使能的正常平面进行操作，并且 其中，被包括在每个芯片区域中并具有多个子焊盘的子焊盘区域位于相应芯片区域中的所述多个平面之间，并且所述多个子焊盘中的每一个通过重分配线联接到所述多个主焊盘中的相应一个主焊盘。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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