美商新思科技有限公司E·A·威尔迪安获国家专利权
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龙图腾网获悉美商新思科技有限公司申请的专利基于光刻模型参数预测缺陷率获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080072462.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于光刻模型参数预测缺陷率是由E·A·威尔迪安;U·K·科洛斯特曼;U·威林;汤九洲;H-J·斯托克设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于光刻模型参数预测缺陷率在说明书摘要公布了：经校准的光刻模型可以被用于基于集成电路IC设计布局生成光刻模型输出。然后，可以从光刻模型输出至少提取化学参数。然后，经校准的缺陷率模型可以被用于基于化学参数预测针对IC设计布局的缺陷率。
本发明授权基于光刻模型参数预测缺陷率在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 使用经校准的光刻模型来基于集成电路IC设计布局生成光刻模型输出； 由处理器从所述光刻模型输出至少提取化学参数；以及 使用经校准的缺陷率模型来基于所述化学参数预测针对所述IC设计布局的缺陷率， 其中所述化学参数对应于抑制剂浓度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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