中国科学院微电子研究所焦斌斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一体化集成电路芯片结构以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210884405.0，技术领域涉及：H10W40/47；该发明授权一体化集成电路芯片结构以及制备方法是由焦斌斌;余立航;孔延梅;刘瑞文;叶雨欣;王杰;石钰林设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一体化集成电路芯片结构以及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一体化集成电路芯片结构以及制备方法，本发明涉及集成电路芯片的热设计与热控制技术领域，用于解决现有技术中集成电路芯片高热流密度点的热量传输能力较弱的问题。在半导体衬底晶圆上制作具有电学功能和散热功能的一体化集成电路芯片，并进行封装，通过把集成电路加工工艺和微流道加工工艺结合，在集成电路芯片加工过程中，在半导体衬底晶圆上直接制作微流道，而不是在芯片制作完成之后额外制作微流道，实现多颗集成电路芯片的散热结构的制作，减少芯片散热所需的成本；盖板把冷却工质引到微流道中，使芯片高热流密度点的热量通过衬底的传导后，直接和冷却工质进行热交换，减小芯片热量散失过程中的传热热阻，提升散热能力。
本发明授权一体化集成电路芯片结构以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一体化集成电路芯片结构制备方法，其特征在于，用于制备一体化集成电路芯片结构，所述方法包括： 在半导体衬底晶圆上制作集成电路器件区和微流道结构；所述微流道结构内嵌到所述半导体衬底晶圆中； 在盖板上制作分液结构以及进出液口； 对所述半导体衬底晶圆以及所述盖板进行键合，得到键合结构； 对所述键合结构进行划片，形成具有所述微流道结构、所述分液结构和所述进出液口的一体化集成电路芯片； 对所述一体化集成电路芯片进行封装；所述一体化集成电路芯片包括半导体衬底、盖板以及集成电路芯片的封装结构，所述封装结构具有保护外壳；所述保护外壳用于保护所述一体化集成电路芯片。
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