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龙图腾网获悉拓米(成都)应用技术研究院有限公司申请的专利一种核壳量子点及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118006335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211398661.5，技术领域涉及：C09K11/88；该发明授权一种核壳量子点及其制备方法和应用是由杨宗桦;陈璘珣;杨鸿麟;薛迎珠设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种核壳量子点及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种核壳量子点及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：1将卤素铟源、卤素锌源和油胺混合，升温反应至少两次，磷源混合，升温反应至少一次，得到核心；2在所述核心表面依次包覆内壳层、过渡层和外壳层，形成壳层，得到核壳量子点。本发明所述制备方法得到的核壳量子点荧光效率高，光发射半宽狭窄，结构稳定性高，光致电致相容性好，可以在无镉和低生物毒性的环境中制备，环境友好。

本发明授权一种核壳量子点及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种核壳量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 1将卤素铟源、卤素锌源和油胺混合，在保护性气氛下，在80-100℃下保持10-50min； 在真空条件和保护性气氛下，控制真空度为-0.08~-0.1MPa，升温至120-150℃，保持1-3h，保证体系无水无氧； 在保护性气氛下，升温至180-200℃，在体系中加入磷源，保持1-10min； 在保护性气氛下，升温至220-250℃，保持0.5-2h，纯化，得到核心； 2将核心分散于溶剂中，在真空条件下，调温至120℃-150℃，保持1-3h，控制真空度为-0.08~-0.1MPa，保证体系无水无氧； 在保护性气氛下，升温至180-200℃，将表面蚀刻的材料加入体系中，保持10-50min，再将壳材料加入体系中，保持30-60min，得到第一内壳层； 在保护性气氛下，升温至200-250℃，高于第一内壳层的制备温度，将表面蚀刻的材料加入体系中，保持10-50min，再将壳材料加入体系中，保持45-75min，高于第一内壳层的保持时间，得到第二内壳层； 在保护性气氛下，升温至250-300℃，高于第二内壳层的制备温度，将表面蚀刻的材料加入体系中，保持10-50min，再将壳材料加入体系中，保持60-90min，高于第二内壳层的保持时间，得到第三内壳层，纯化，得到内壳层； 将体系温度调至250-300℃，高于第三内壳层的制备温度，再将表面蚀刻的材料加入体系中，保持10-50min，再将壳材料加入体系中，保持30-60min，纯化，得到过渡层；将体系温度调至300-330℃，高于过渡层的制备温度，再将表面蚀刻的材料加入体系中，保持10-50min，再将壳材料加入体系中，保持30-60min，纯化，得到外壳层； 3将含有内壳层、过渡层和过渡层的核心分散于溶剂中，在真空条件和保护性气氛下，将体系温度调至120-150℃，保持1-3h，控制真空度为-0.08~-0.1MPa，保证体系无水无氧； 在保护性气氛中，将温度调至80-150℃，将巯基配体加入体系，保温10-50min； 在保护性气氛中，将温度调至150-200℃，将巯基配体加入体系，保温15-60min； 在保护性气氛中，将温度调至200-250℃，将巯基配体加入体系，保温0.5-2h，完成配体置换，纯化和干燥后，得到所述核壳量子点。

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