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龙图腾网获悉东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所申请的专利宽电源电压范围的氮化镓稳压电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118012198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410147891.7，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权宽电源电压范围的氮化镓稳压电路是由郑逸飞;袁伟民;董千恒;李博宇;孙伟锋;时龙兴设计研发完成，并于2024-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽电源电压范围的氮化镓稳压电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽电源电压范围的氮化镓稳压电路，属于稳压电路领域，包括：电源VCC、地GND、偏置单元和输出单元。本发明采用增强型氮化镓HEMT实现的宽电源电压范围的稳压电路，能够为芯片内部电路模块提供稳定电源电压。

本发明授权宽电源电压范围的氮化镓稳压电路在权利要求书中公布了：1.一种宽电源电压范围的氮化镓稳压电路，其特征在于，包括：电源VCC、地GND、偏置单元315和输出单元375； 所述偏置单元包括第一氮化镓HEMT325、第二氮化镓HEMT330、第三氮化镓HEMT335、第四氮化镓HEMT355、第一氮化镓阻性器件360、第二氮化镓阻性器件365和稳压二极管320；连接关系为：所述稳压二极管320的阳极连接地GND，阴极连接所述第一氮化镓HEMT325、所述第二氮化镓HEMT330，所述第三氮化镓HEMT335的源极；所述第一氮化镓HEMT325的栅极和漏极连接所述第四氮化镓HEMT355的源极，所述第四氮化镓HEMT355的栅极和漏极连接所述第一氮化镓阻性器件360的一端和所述第二氮化镓阻性器件365的一端，所述第二氮化镓阻性器件365的另一端连接到电源VCC，所述第二氮化镓HEMT330的栅极和漏极连接所述第一氮化镓阻性器件360的另一端，所述第三氮化镓HEMT335的栅极连接到所述第二氮化镓HEMT330的栅极和漏极，所述第三氮化镓HEMT335的漏极连接电源VCC； 所述输出单元包括第五氮化镓HEMT390、第三氮化镓阻性器件380和氮化镓工艺电容385；连接关系为：所述第五氮化镓HEMT390的漏极连接电源VCC，栅极连接所述第二氮化镓HEMT330的漏极和栅极，源极连接所述第三氮化镓阻性器件380的一端和所述氮化镓工艺电容385的一端，所述第三氮化镓阻性器件380的另一端连接到地GND，所述氮化镓工艺电容385的另一端连接到地GND，所述第五氮化镓HEMT390的源极输出稳定电压VREG。

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