厦门三安光电有限公司黄敏获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利发光二极管芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410946402.4，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权发光二极管芯片是由黄敏;刘小亮;何安和设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括半导体堆叠层和绝缘层；绝缘层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层；绝缘层具有台阶结构，台阶结构包括由第一绝缘层形成的第一台阶和由第二绝缘层形成的第二台阶，在水平方向上第一台阶超出第二台阶。本申请中绝缘层至少由第一绝缘层和第二绝缘层形成，其能够避免绝缘层出现裂缝或者整层断裂，提高绝缘层的可靠性。并且第一绝缘层在水平方向上超出第二绝缘层预定长度，则该超出部分能够在后续第二结构层形成在绝缘层上时起到缓冲作用，减小第二结构层内部所产生的应力，避免第二结构层在应力作用下出现裂缝或者整层断裂，提高发光二极管芯片的可靠性。
本发明授权发光二极管芯片在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片，具有半导体堆叠层、透明导电层和绝缘层，其特征在于，所述绝缘层形成于所述透明导电层之上，所述绝缘层至少包括第一绝缘层和形成于所述第一绝缘层上表面的第二绝缘层；所述绝缘层开设有贯穿绝缘层的通孔，所述通孔内具有金属层； 所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度，且所述第二绝缘层的厚度等于或大于1μm，所述第一绝缘层的厚度为30nm~200nm或400nm~1000nm； 所述第二绝缘层的侧面在第一平面的正投影位于所述第一绝缘层在所述第一平面的正投影内，所述第一绝缘层的侧面与水平方向之间的角度α1小于所述第二绝缘层的侧面与水平方向之间的角度α2其中，所述第一平面为所述第一绝缘层的下表面所在的平面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门三安光电有限公司，其通讯地址为：361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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