广州汉源微电子封装材料有限公司蔡航伟获国家专利权
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龙图腾网获悉广州汉源微电子封装材料有限公司申请的专利一种预置金锡连接层的焊接件及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118848147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411180874.X，技术领域涉及：B23K1/00；该发明授权一种预置金锡连接层的焊接件及其制备方法与应用是由蔡航伟;曾世堂;洪少健;汪松英;杨茳荣;李志豪;李金朋;黄耀林;林钦耀设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种预置金锡连接层的焊接件及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种预置金锡连接层的焊接件及其制备方法与应用，属于软钎焊技术领域，所述焊接件的制备方法以特定设置的掩膜为模板进行金层和锡层的特殊沉积，所得复合沉积层在经过退火处理时金层和锡层扩散效果好，形成的金锡连接层组分均匀性高，金和锡的成分比例与预期结果匹配度高。
本发明授权一种预置金锡连接层的焊接件及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种预置金锡连接层的焊接件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在焊接面基底上沉积第一金层；所述第一金层的厚度≤0.2μm； 2在第一金层上覆盖第一掩膜，所述第一掩膜设有网格分布的若干镂空圆孔，所述镂空圆孔在第一掩膜上的面积占比为48～52％；所述第一掩膜中单个镂空圆孔的面积≤0.05mm2； 3在第一掩膜的镂空圆孔区域沉积第一锡层，所述第一锡层与第一金层的厚度之比为3.8～4.2：1； 4移除第一掩膜，随后在第一锡层上覆盖第二掩膜并在未覆盖第二掩膜的区域沉积第二金层，所述第二金层的厚度与第一锡层的厚度相同； 5移除第二掩膜，随后在第一锡层和第二金层的平面上沉积第三金层；所述第三金层的厚度与第一金层的厚度相同； 6在第三金层上覆盖第一掩膜，在第一掩膜的镂空圆孔区域沉积第四金层，所述第四金层的厚度与第一锡层的厚度相同； 7移除第一掩膜，随后在第四金层上覆盖第二掩膜并在未覆盖第二掩膜的区域沉积第二锡层，所述第二锡层的厚度与第四金层的厚度相同； 8移除第二掩膜，随后重复步骤1～7直至所得复合沉积层达到预定厚度，经过退火处理后，即得所述预置金锡连接层的焊接件；所述退火处理时的温度为200～220℃。
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