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龙图腾网获悉杭州镓仁半导体有限公司申请的专利氧化镓单晶生长装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118932478B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411434996.7，技术领域涉及：C30B13/00；该发明授权氧化镓单晶生长装置和方法是由夏宁;吴丹;李成设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓单晶生长装置和方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种氧化镓单晶生长装置和方法，该装置包括炉体，穿设于所述上盖的上籽晶杆，穿设于所述下盖的下籽晶杆，绕设于炉筒外围的螺旋状感应线圈，用于提供高频交变磁场；感应线圈自上而下包括稳定线圈、悬浮加热线圈，稳定线圈通电后产生的电磁力与悬浮加热线圈通电后产生的电磁力方向相反，二者相互作用，以使投放于炉筒内的悬浮热源在工作状态下，稳定的悬浮于所述感应线圈围设出的工作区域。该方法通过感应线圈为悬浮热源加热，再使用悬浮热源为料棒加热得到悬浮熔体，籽晶与悬浮熔体接触并完成氧化镓单晶的生长，满足了无坩埚生长2英寸以上的大尺寸氧化镓单晶的需求。

本发明授权氧化镓单晶生长装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种无坩埚氧化镓单晶生长装置，其特征在于，包括： 炉体，所述炉体包括炉筒、分别设置于炉筒两端的上盖、下盖，所述上盖上设置有与所述炉筒内部连通的投料通道和第一气体通道，所述投料通道用于向所述炉筒内投放悬浮热源材料，所述下盖上设置有与所述炉筒内部连通的第二气体通道；所述第一气体通道为出气通道，所述第二气体通道为进气通道；所述悬浮热源材料为导电材料； 穿设于所述上盖的上籽晶杆，所述上籽晶杆用于安置氧化镓料棒； 穿设于所述下盖的下籽晶杆，所述下籽晶杆用于安置氧化镓籽晶； 绕设于所述炉筒外围的螺旋状感应线圈，用于提供高频交变磁场；所述感应线圈自上而下包括稳定线圈、悬浮加热线圈，所述稳定线圈通电后产生向下的第一电磁力，所述悬浮加热线圈通电后产生向上的第二电磁力，所述第一电磁力和第二电磁力相互作用，以使投放于所述炉筒内的悬浮热源在工作状态下，稳定的悬浮于所述感应线圈围设出的工作区域； 所述悬浮加热线圈包括自上而下的加热线圈和悬浮线圈，所述加热线圈为圆柱状绕制，所述悬浮线圈为倒锥状绕制，所述悬浮线圈的半锥角β的设置范围为0°＜β≤90°，所述加热线圈的匝垂直间距为d2，所述悬浮线圈的匝垂直间距为d3，d2≥d3，用于对所述悬浮热源材料进行加热，使所述悬浮热源材料熔融，得到所述悬浮热源，且使所述悬浮热源的形状控制为倒锥状，并在整个长晶过程中，使所述悬浮热源保持熔融的工作状态； 所述悬浮热源的工作温度为T1，所述氧化镓料棒的熔点为T2，T1＞T2，所述悬浮热源材料导电性能良好，沸点高于所述氧化镓料棒的熔点，所述悬浮热源材料与熔化状态的氧化镓料棒材料的反应活性低或固溶极限低，且在熔融状态下，不改变氧化镓单晶的电学类型； 处于熔融状态下的所述悬浮热源，形状为倒锥形，用于在长晶过程中作为热源，与安装于所述上籽晶杆上的所述氧化镓料棒接触，加热所述氧化镓料棒，使所述氧化镓料棒受热熔化并完全包裹住所述悬浮热源，形成悬浮熔体，并引导熔融的所述氧化镓料棒材料的流动路径；所述悬浮熔体在所述高频交变磁场的作用下保持悬浮，用于与所述氧化镓籽晶接触，开启长晶过程，直至得到目标尺寸的所述氧化镓单晶； 所述悬浮热源的重量与待生成的所述氧化镓单晶的直径尺寸相关；所述悬浮线圈的匝数N3和匝垂直间距d3与所述悬浮热源的重量强相关，所述加热线圈的匝数N2和匝垂直间距d2也与所述悬浮热源的重量强相关。

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