安徽格恩半导体有限公司郑锦坚获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种GaN基化合物半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119171176B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411192804.6，技术领域涉及：H01S5/065；该发明授权一种GaN基化合物半导体激光元件是由郑锦坚;寻飞林;陈婉君;曹军;李水清;邓和清;蓝家彬;张江勇;刘紫涵设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基化合物半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种GaN基化合物半导体激光元件。该GaN基化合物半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，上波导层与上限制层之间具有激子声子量子干涉层；激子声子量子干涉层的晶格常数分布具有函数y＝A+B*lnx+x曲线分布；激子声子量子干涉层的禁带宽度分布具有函数y＝C+D*sinxx2第三象限曲线分布；该GaN基化合物半导体激光元件，可以解决阈值处的电导上跳、电容下沉和理想因子上跳的突变问题，降低电子空穴的传输损耗，提升载流子注入均匀性和增益均匀性，提升激光器光功率；提升光束质量因子。
本发明授权一种GaN基化合物半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种GaN基化合物半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，其特征在于，所述上波导层与上限制层之间具有激子声子量子干涉层；所述激子声子量子干涉层的晶格常数分布具有函数y＝A+B*lnx+x曲线分布，A、B为任意数值；所述激子声子量子干涉层的禁带宽度分布具有函数y＝C+D*sinxx2第三象限曲线分布，C、D为任意数值；上限制层的晶格常数≤激子声子量子干涉层的晶格常数≤上波导层的晶格常数；上波导层的禁带宽度≤激子声子量子干涉层的禁带宽度≤上限制层的禁带宽度。
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