中国电子科技集团公司第二十四研究所宋敏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种带有欠压保护的带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119270981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411708108.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种带有欠压保护的带隙基准电路是由宋敏;苟超设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有欠压保护的带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路领域，特别涉及一种带有欠压保护的带隙基准电路，包括带隙基准产生电路和基准欠压保护电路，带隙基准产生电路用于产生一个精确的、稳定的基准电压，当带隙基准产生电路的输出电压小于设定电压值时通过基准欠压保护电路关断后级电路进行欠压保护。本发明的电路不仅可以产生一个精确的带隙基准电压，还能在基准建立之前实现欠压保护。
本发明授权一种带有欠压保护的带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种带有欠压保护的带隙基准电路，其特征在于，包括带隙基准产生电路和基准欠压保护电路，带隙基准产生电路用于产生一个精确且稳定的基准电压，当带隙基准产生电路的输出电压小于设定电压值时通过基准欠压保护电路关断后级电路进行欠压保护；带隙基准产生电路包括第一~第三电阻、第一~第四MOS管，第七~第八MOS管、第一~第四晶体管，其中： 第一~第四MOS管源极连接电源端，第一、第二以及第四MOS管栅极与第一使能信号连接，第一MOS管漏极、第一晶体管基极、第七MOS管漏极连接在一起； 第二MOS管漏极、第二晶体管集电极、第七MOS管栅极连接在一起； 第三MOS管漏极、第一晶体管集电极、第一电阻的一端连接在一起作为带隙基准电压输出端，第三MOS管栅极连接第二使能信号； 第四MOS管漏极、第四晶体管集电极、第八MOS管栅极连接在一起； 第七MOS管和第八MOS管源极、第一晶体管和第三晶体管发射极接地； 第八MOS管漏极、第二晶体管和第四晶体管发射极连接在一起； 第二晶体管基极与第二电阻的一端、第三电阻的一端连接在一起； 第三晶体管基极和集电极、第三电阻的另一端连接在一起； 第四晶体管基极与第二电阻的另一端、第一电阻的另一端连接在一起。
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