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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有抑制光学灾变下波导层的半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297734B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411405826.6，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有抑制光学灾变下波导层的半导体激光器是由郑锦坚;寻飞林;邓和清;陈婉君;蔡鑫;曹军;李晓琴;胡志勇;刘紫涵;黄军;张会康;钟志白;李水清设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有抑制光学灾变下波导层的半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有抑制光学灾变下波导层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层。本发明通过设计下波导层的体积弹性模量和形变势的变化角度，提升下波导层与下包覆层界面、下波导层与有源层界面以及下波导层各层界面之间的应力分布均匀性和热膨胀分布均匀性，降低激光器的光学灾变。

本发明授权一种具有抑制光学灾变下波导层的半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种具有抑制光学灾变下波导层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，其特征在于，所述下波导层包括从下至上依次设置的第一抑制光学灾变下波导层、第二抑制光学灾变下波导层和第三抑制光学灾变下波导层，所述第一抑制光学灾变下波导层与下包覆层界面、第二抑制光学灾变下波导层与第一抑制光学灾变下波导层界面、以及第三抑制光学灾变下波导层与第二抑制光学灾变下波导层界面均具有体积弹性模量分布特性和形变势分布特性； 所述第一抑制光学灾变下波导层的体积弹性模量的谷值位置往下包覆层方向的上升角度为α，所述第二抑制光学灾变下波导层的体积弹性模量的峰值位置往下包覆层方向的下降角度为β，所述第三抑制光学灾变下波导层的体积弹性模量的谷值位置往下包覆层方向的上升角度为γ，其中：45°≤γ≤β≤α≤90°； 所述第一抑制光学灾变下波导层的形变势的谷值位置往下包覆层方向的上升角度为θ，所述第二抑制光学灾变下波导层的形变势的峰值位置往下包覆层方向的下降角度为δ，所述第三抑制光学灾变下波导层的形变势的谷值位置往下包覆层方向的上升角度为σ，其中：40°≤σ≤δ≤θ≤90°。

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