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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种采用双轴应变提升氯离子在单层Ta2N上的扩散性能方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119380892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411459223.4，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种采用双轴应变提升氯离子在单层Ta2N上的扩散性能方法是由杨振华;李瑞芳;罗玲设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用双轴应变提升氯离子在单层Ta2N上的扩散性能方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用双轴应变提升氯离子在单层Ta2N上的扩散性能方法，主要解决目前单层Ta2N作为氯离子电池电极材料存在低氯离子扩散性能问题。本发明首先对单层Ta2N施加不同程度的双轴应变ε，然后采用第一性原理方法对其进行筛选与优化；在此基础上，探讨其最稳定的氯离子吸附位点，获得其最稳定的吸附氯离子体系所对应的结构；并发现当对Ta2N施加合适双轴应变时ε＝‑4％，其具有最优氯离子扩散能垒0.17eV和良好的热稳定性。本发明为设计具有优异氯离子扩散性能的氯离子电池电极材料提供了思路和方法。

本发明授权一种采用双轴应变提升氯离子在单层Ta2N上的扩散性能方法在权利要求书中公布了：1.一种采用双轴应变提升氯离子在单层Ta2N上的扩散性能方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 步骤1：对单层Ta2N进行结构优化，获得其稳定结构； 步骤2：对单层TaN结构进行能带与态密度计算，分析其电子结构； 步骤3：对单层TaN施加程度为-6％≤ε≤6％的双轴应变ε，分析其力学性能，所述步骤3中，根据式1-1定义双轴应变ε，对TaN施加双轴应变ε，分析单层TaN的力学性能；具体步骤如下： 在式1-1中，a和b为单层TaN的晶格常数；a和b分别为单层TaN经过双轴应变作用后沿不同方向的晶格常数； 步骤3.1：根据步骤1，将六方TaN转化为四方TaN，接着对四方TaN施加不同程度的双轴应变，此时-6％≤ε≤6％； 步骤3.2：对步骤3.1施加双轴应变后的四方TaN进行结构优化，并测量其键长； 步骤4：分析单层TaN经过双轴应变后其吸附氯离子体系的最稳定结构，并计算其对应的吸附能； 步骤5：将单层TaN经过不同双轴应变调控处理后，采用爬坡弹性带CI-NEB方法搜索氯离子在单层TaN上的最优扩散路径，发现当单层TaN经合适双轴应变ε处理后，氯离子在其上具有最佳扩散性能，此时ε＝-4％； 步骤6：采用从头算分子动力学AIMD方法分别研究经过双轴应变ε处理后的TaN在温度为300K和500K下的热稳定性，此时ε＝-4％。

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