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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有空穴烧孔抑制层的氮化镓基半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119481954B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411585978.9，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有空穴烧孔抑制层的氮化镓基半导体激光器是由郑锦坚;蔡鑫;蓝家彬;张会康;李晓琴;黄军;陈婉君;刘紫涵;邓和清;寻飞林;张江勇;李水清设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有空穴烧孔抑制层的氮化镓基半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有空穴烧孔抑制层的氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层。本发明设定空穴烧孔抑制层、上限制层、上波导层、下波导层中Al元素浓度或In元素浓度的分布状态以及变化趋势，调控激光器结构的界面应变均匀性、界面Al元素浓度分布均匀性和界面质量，提升注入载流子能量的量子化，提升注入有源区的载流子利用率，减少有源层中电子和光子的耦合时间常数，降低界面态的数量，降低受激辐射与缺陷、界面态相互作用引起驻波减少以及激光器谐振腔激励起的驻波干扰粒子数反转分布，从而抑制增益曲线的任意频率位置的突变下降，抑制空穴烧孔效应和提升斜率效率。

本发明授权一种具有空穴烧孔抑制层的氮化镓基半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种具有空穴烧孔抑制层的氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，其特征在于，所述电子阻挡层的Al元素浓度≥上限制层的Al元素浓度，所述上限制层包括第一上限制层和第二上限制层，所述所述第一上限制层位于所述电子阻挡层与上波导层之间，所述第二上限制层位于所述电子阻挡层上方，所述上波导层包括第一上波导层和第二上波导层，所述第一上波导层位于所述第二上波导层下方，所述第一上波导层的In元素浓度≥第二上波导层的In元素浓度，所述下波导层包括第一下波导层和第二下波导层，所述第一下波导层位于所述第二下波导层下方，所述第一下波导层的In元素浓度≤第二下波导层的In元素浓度，所述第一下波导层和下限制层之间设置有第一空穴烧孔抑制层，所述第二上波导层与第一上限制层之间设置有第二空穴烧孔抑制层，所述第一空穴烧孔抑制层的Al元素浓度的峰值位置往有源层方向的下降角度为60°至90°，所述第二空穴烧孔抑制层的Al元素浓度的峰值位置往有源层方向的下降角度为60°至90°，所述第一下波导层的Al元素浓度的峰值位置往有源层方向的下降角度为15°至60°，所述第二上波导层的Al元素浓度的峰值位置往有源层方向的下降角度为15°至60°，所述角度为沿曲线的切线倾斜角。

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