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龙图腾网获悉全磊光电股份有限公司申请的专利一种异质结双极型晶体管及其MOCVD外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411737215.1，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权一种异质结双极型晶体管及其MOCVD外延生长方法是由程志豪;张永;单智发;朱仕源设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结双极型晶体管及其MOCVD外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明属于异质结双极型晶体管技术领域，具体涉及一种异质结双极型晶体管及其MOCVD外延生长方法。本发明提供的异质结双极型晶体管包括：设置在所述基区和所述发射层之间的过渡层，所述MOCVD外延生长方法包括在所述基区表面采用线性变温阶段式脉冲金属有机物化学气相淀积法成长过渡层，所述线性变温阶段式脉冲金属有机物化学气相淀积法的总生长时间内持续通入PH3，以单周期阶段式脉冲通入三甲基铟、三甲基镓和硅烷；由T1初始时刻至TN初始时刻的时间内反应室温度由基区生长温度线性增加至发射层生长温度。本发明提供的方法得到的异质结双极型晶体管增益大、方阻低、可靠性好。

本发明授权一种异质结双极型晶体管及其MOCVD外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结双极型晶体管的MOCVD外延生长方法，其特征在于，所述异质结双极晶体管包括衬底，依次设置在所述衬底表面的缓冲层、集电区欧姆接触层、集电区腐蚀截止层、集电区、基区、发射层、副发射层和发射区欧姆接触层； 所述异质结双极晶体管还包括：设置在所述基区和所述发射层之间的过渡层； 所述MOCVD外延生长方法包括以下步骤； 1在所述衬底表面依次生长缓冲层、集电区欧姆接触层、集电区腐蚀截止层、集电区和基区； 2在所述基区表面采用线性变温阶段式脉冲金属有机物化学气相淀积法成长过渡层，所述线性变温阶段式脉冲金属有机物化学气相淀积法的总生长时间划分为T1+t1+T2+t2+T3+t3+……+TN-1+tN-1+TN，T1T2T3……＜TN，N为≥3的正整数；所述线性变温阶段式脉冲金属有机物化学气相淀积法的总生长时间内持续通入PH3，在T1、T2、T3、……TN-1和TN时间内通入三甲基铟、三甲基镓和硅烷，在t1、t2、t3、……和tN-1时间内不通入三甲基铟、三甲基镓和硅烷；由T1初始时刻至TN初始时刻的时间内反应室温度由基区生长温度线性增加至发射层生长温度； 3在所述过渡层表面依次生长发射层、副发射层和发射区欧姆接触层，得到异质结双极晶体管。

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