安徽格恩半导体有限公司邓和清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有光吸收损耗抑制层的半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119651347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411758167.4，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有光吸收损耗抑制层的半导体激光器是由邓和清;郑锦坚;寻飞林;蓝家彬;蔡鑫;刘紫涵;胡志勇;陈婉君;张江勇;李水清设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有光吸收损耗抑制层的半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有光吸收损耗抑制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，所述电子阻挡层与上包覆层之间设置有光吸收损耗抑制层，所述光吸收损耗抑制层和电子阻挡层中均具有介电常数变化趋势、电子有效质量变化趋势和导带有效态密度变化趋势。本发明设定光吸收损耗抑制层和电子阻挡层中介电常数变化趋势、电子有效质量变化趋势和导带有效态密度变化趋势，调控激光器载流子分布和受激辐射的激光光场分布，让内部光场远离电子阻挡层和上包覆层的高光吸收区域，降低高光吸收区域的未电离Mg受主对光场的吸收损耗。
本发明授权一种具有光吸收损耗抑制层的半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种具有光吸收损耗抑制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，其特征在于，所述电子阻挡层与上包覆层之间设置有光吸收损耗抑制层，所述光吸收损耗抑制层和电子阻挡层中均具有介电常数变化趋势、电子有效质量变化趋势和导带有效态密度变化趋势，所述光吸收损耗抑制层的介电常数的峰值位置往有源层方向和上包覆层方向均呈下降趋势，所述电子阻挡层的介电常数的谷值位置往上包覆层方向呈上升趋势，所述光吸收损耗抑制层的电子有效质量的谷值位置往有源层方向和上包覆层方向呈上升趋势，所述电子阻挡层的电子有效质量的峰值位置往上包覆层方向呈下降趋势，所述光吸收损耗抑制层的导带有效态密度的峰值位置往有源层方向和上包覆层方向呈下降趋势，所述电子阻挡层的导带有效态密度的谷值位置往上包覆层方向呈上升趋势。
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