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龙图腾网获悉北京昕感科技有限责任公司申请的专利一种SiC沟槽终端结构制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653807B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411952722.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种SiC沟槽终端结构制作方法是由钟炜;马鸿铭;王哲设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC沟槽终端结构制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC沟槽终端结构制作方法，属于半导体制造技术领域。包括如下步骤，在N‑外延层中形成多个P+区将N‑外延层分成一个终端区和多个元胞区，在终端区形成第一Pwell区，在元胞区中分别形成JFET注入区、第二Pwell区和N+区；通过光刻胶在所述终端区定义出渐变沟槽终端环以及在所述元胞区上定义出栅极沟槽图案；通过上述图案在终端区形成向元胞区方向深度逐渐增加的多个终端区沟槽，以及在元胞区中形成栅极沟槽；在终端区沟槽和栅极沟槽上形成侧墙，并在底部形成P型保护区。然后去除侧墙以及硬掩膜层，并进一步形成栅极、源极和漏极。本发明的方法不增加工艺所需的掩膜版，兼容单沟槽+深pplus方案，解决深pplus过渡区在反向耐压时电场集中的问题。

本发明授权一种SiC沟槽终端结构制作方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC沟槽终端结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一N+衬底1，在所述N+衬底1形成N-外延层2； 在所述N-外延层2中通过高能离子注入形成多个P+区4将所述N-外延层2分成一个终端区和多个元胞区，在所述终端区形成第一Pwell区3，在所述元胞区中分别形成JFET注入区5、第二Pwell区6和N+区7； 在所述N-外延层2上形成硬掩膜层9，并通过光刻胶10在所述终端区定义出渐变沟槽终端环以及在所述元胞区上定义出栅极沟槽图案；所述渐变沟槽终端环具有向元胞区方向沟槽宽度渐进增加的多个终端区沟槽图案； 通过上述终端区沟槽图案和栅极沟槽图案对所述硬掩膜层9进行进一步刻蚀，并在所述终端区形成向元胞区方向深度逐渐增加的多个终端区沟槽，以及在所述元胞区中形成栅极沟槽； 在所述终端区沟槽和所述栅极沟槽上形成侧墙11，以所述侧墙11为掩膜分别在所述终端区沟槽和所述栅极沟槽底部通过离子注入形成P型保护区12； 完成所述P型保护区12注入后，去除所述终端区沟槽和所述元胞区栅极沟槽中的所述侧墙11以及所述硬掩膜层9； 最后在所述终端区沟槽和所述栅极沟槽中形成栅氧16并填充多晶硅形成栅极15，并在其上形成层间介质隔离层14和源极金属13，在所述N+衬底1背面形成漏极8。

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