中国电子科技集团公司第二十四研究所张欢获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种基于电荷等离子体的双埋藏栅功率MOSFET结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653832B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411760731.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种基于电荷等离子体的双埋藏栅功率MOSFET结构是由张欢;向凡;杨丰;陶梦玲;江洁;王媛设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电荷等离子体的双埋藏栅功率MOSFET结构在说明书摘要公布了：本发明涉及功率MOSFET，特别涉及一种基于电荷等离子体的双埋藏栅功率MOSFET结构，从上到下依次包括p型body区、n‑型漂移区，在n‑型漂移区左右两端分别设置有上、下以及内侧表面被氧化层包裹的多晶硅层，p型body区左右两端形成n+电荷等离子区，p型body区顶部形成p+电荷等离子区；对衬底进行金属化，形成漏极；对外侧的多晶硅栅层进行金属化形成栅极；对n+电荷等离子区外侧进行金属化形成第一源极，对p+电荷等离子区进行金属化形成第二源极；本发明与现有VDMOS结构相比，本发明结构具有更小的热预算，更低的制造复杂性，更低的导通电阻以及电荷，更大的功率密度，更好的高频性能指标。
本发明授权一种基于电荷等离子体的双埋藏栅功率MOSFET结构在权利要求书中公布了：1.一种基于电荷等离子体的双埋藏栅功率MOSFET结构，其特征在于，包括以下步骤： 在n+型衬底上进行外延层生长，形成n-型漂移区； 在n-型漂移区表面依次进行氧化层生长、多晶硅淀积，形成氧化层和多晶硅栅层； 对氧化层和多晶硅栅层进行刻蚀，刻蚀后保留左右两端位置的氧化层和多晶硅栅层、去除中间位置的氧化层和多晶硅栅层； 在刻蚀后的表面进行栅氧化层淀积并刻蚀中间位置、n-型漂移区上多余的氧化层，使得多晶硅栅层的上表面以及内侧被二氧化硅包裹； 继续在n-型漂移区、氧化层的上表面进行外延层生长，并对氧化层以上部分的外延层进行p型掺杂形成p型body区； p型body区左右两端形成n+电荷等离子区，p型body区顶部形成p+电荷等离子区； 对衬底进行金属化，形成漏极；对外侧的多晶硅栅层进行金属化形成栅极；对n+电荷等离子区外侧进行金属化形成第一源极，对p+电荷等离子区进行金属化形成第二源极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第二十四研究所，其通讯地址为：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励