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龙图腾网获悉合肥视涯显示科技有限公司申请的专利一种MOSFET器件及其制备方法、像素电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411932384.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种MOSFET器件及其制备方法、像素电路是由朱天志;刘炳麟设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET器件及其制备方法、像素电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOSFET器件及其制备方法、像素电路，MOSFET器件包括：衬底；衬底形成具有第一掺杂类型的阱区；阱区包括有源区以及设置于有源区相对两侧的沟槽结构；栅极结构，设置于有源区的上方；有源区包括设置于栅极结构相对两侧的具有第二掺杂类型的轻掺杂漏区和轻掺杂源区；轻掺杂漏区设置有具有第二掺杂类型的重掺杂漏区；轻掺杂源区设置有具有第二掺杂类型的重掺杂源区；重掺杂区的第一侧与沟槽结构平齐，重掺杂区的第二侧与栅极结构形成有间隙；间隙内设置有具有第一掺杂类型的耗尽注入区；耗尽注入区的第一侧与重掺杂区的第二侧平齐；耗尽注入区的第二侧与栅极结构之间也形成间隙。本发明提供的技术方案，可降低MOSFET器件的漏电流。

本发明授权一种MOSFET器件及其制备方法、像素电路在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底； 所述衬底形成具有第一掺杂类型的阱区；所述阱区包括有源区以及设置于所述有源区相对两侧的沟槽结构；栅极结构，设置于所述有源区的上方； 所述有源区包括设置于所述栅极结构相对两侧的具有第二掺杂类型的轻掺杂漏区和轻掺杂源区；所述轻掺杂漏区设置有具有第二掺杂类型的重掺杂漏区；所述轻掺杂源区设置有具有第二掺杂类型的重掺杂源区； 所述重掺杂漏区的第一侧与所述沟槽结构平齐，所述重掺杂漏区的第二侧与所述栅极结构形成有第一间隙；所述第一间隙内设置有具有第一掺杂类型的漏极耗尽注入区；所述漏极耗尽注入区的第一侧与所述重掺杂漏区的第二侧平齐；所述漏极耗尽注入区的第二侧与所述栅极结构之间形成第二间隙； 所述重掺杂源区的第一侧与所述沟槽结构平齐，所述重掺杂源区的第二侧与所述栅极结构形成有第三间隙；所述第三间隙内设置有具有第一掺杂类型的源极耗尽注入区；所述源极耗尽注入区的第一侧与所述重掺杂源区的第二侧平齐；所述源极耗尽注入区的第二侧与所述栅极结构之间形成第四间隙。

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