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龙图腾网获悉上海卫星装备研究所;南京航空航天大学申请的专利基于三冗余反馈的高可靠性21T抗辐照SRAM单元电路及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119763628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411662816.0，技术领域涉及：G11C11/417；该发明授权基于三冗余反馈的高可靠性21T抗辐照SRAM单元电路及设备是由刘刚;高冬冬;杨伟峰;闫成刚;费涛;王成华;苏京设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于三冗余反馈的高可靠性21T抗辐照SRAM单元电路及设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于三冗余反馈的高可靠性21T抗辐照SRAM单元电路及设备，SRAM单元包含十二个NMOS晶体管N1～N12和九个PMOS晶体管P1～P9；N7‑N12的栅极连接字线WL，均由WL控制；P4～P9作为上拉晶体管，N1‑N6作为下拉晶体管，P1～P3作为锁存控制管，其连接方式相互锁存并构建反馈回路；六个存储节点S0～S5与通过传输管N7～N12分别于位线BL和BLB连接。本发明的抗辐照SRAM单元在写入的过程中，通过三对传输管同时传输数据，提高写稳定性并降低写延迟，同时构建相互反馈的冗余节点对，具有完全抗单节点翻转与双节点翻转的能力，并对部分三节点翻转具有容错能力。

本发明授权基于三冗余反馈的高可靠性21T抗辐照SRAM单元电路及设备在权利要求书中公布了：1.一种基于三冗余反馈的高可靠性21T抗辐照SRAM单元电路，其特征在于，包括：九个PMOS晶体管P1~P9，十二个NMOS晶体管N1~N12； P4~P9的源极均电连接电源VDD；P1、P2、P3的漏极分别与N3、N2、N6的漏极电连接；N1~N6的源极均电性接地；N7~N12为访问晶体管，其中，N6、P3、N7的漏极与P6、N5的栅极电连接形成存储节点S0；P6、N4、N8的漏极与N3、P3、P8的栅极电连接形成存储节点S1；P2、N2、N9的漏极与P5、N4的栅极电连接形成冗余存储节点S2；P5、N1、N10的漏极与P2、P9、N6的栅极电连接形成冗余存储节点S3；P1、N3、N11的漏极与P4、N1的栅极电连接形成冗余存储节点S4；P4、N5、N12的漏极与P1、N2、P7的栅极电连接形成冗余存储节点S5；N7~N12六个N型晶体管的栅极电连接字线WL；N7、N9、N11的源极电连接位线BL；N8、N10、N12的源极电连接位线BLB； SRAM单元在正常工作模式下，当字线WL为低电平时，单元进入保持状态；当字线WL为高电平时，访问晶体管N7~N12全部打开，此时具备执行读操作或写操作的能力。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海卫星装备研究所;南京航空航天大学，其通讯地址为：200240 上海市闵行区华宁路251号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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