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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利栅源、栅漏、短栅长的全自对准方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411861716.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权栅源、栅漏、短栅长的全自对准方法及其应用是由肖阳;蔡勇;邢娟;尹立航;吴增远;荆晴晴;薛俊民;彭宇杰;王恒设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅源、栅漏、短栅长的全自对准方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅源、栅漏、短栅长的全自对准方法及其应用。半导体射频器件的制备方法包括：采用所述的栅源、栅漏、短栅长的全自对准方法在外延片上形成定义栅源、栅漏、短栅长的支撑结构，以及，制作与外延片匹配的源极、漏极和栅极，所述源极、所述漏极分别位于所述支撑结构的两侧，所述栅极位于所述支撑结构上。本发明实施例提供的一种全自对准方法，工作流程简单，仅需通过光刻、镀膜等工艺形成的支撑结构即可准确实现源、栅、漏全自对准。

本发明授权栅源、栅漏、短栅长的全自对准方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种栅源、栅漏、短栅长的全自对准方法，其特征在于，包括： 在外延片的表面形成一层第一支撑材料； 在所述第一支撑材料层的表面形成图形化的第一掩膜，除去未被所述第一掩膜覆盖的第一支撑材料，从而形成第一支撑层，所述第一支撑层具有沿选定方向背对设置的第一侧壁和第二侧壁； 除去所述第一掩膜，并在所述外延片、所述第一支撑层的表面形成一层连续的第二支撑材料； 刻蚀除去除分布在所述第一支撑层的第一侧壁之外的第二支撑材料，余留的第二支撑材料作为第二支撑层，所述第二支撑层沿选定方向背对所述第一侧壁的一侧具有第三侧壁； 在所述外延片、所述第一支撑层、所述第二支撑层表面形成一层连续的第三支撑材料； 刻蚀除去除分布在所述第二支撑层的第三侧壁、所述第一支撑层的第二侧壁之外的第三支撑材料，余留在所述第二支撑层的第三侧壁的第三支撑材料作为第三支撑层，余留在所述第一支撑层的第二侧壁的第三支撑材料作为第四支撑层，所述第一支撑层、所述第二支撑层、所述第三支撑层、所述第四支撑层共同形成支撑结构； 其中，所述外延片位于所述支撑结构两侧的区域分别作为源极区域、漏极区域，所述第二支撑层所在区域作为栅极的栅根区域，所述第三支撑层所在区域、所述第三支撑层和所述第一支撑层所在区域中的一者对应栅源区域、另一者对应栅漏区域，所述第一支撑材料、所述第三支撑材料与所述第二支撑材料具有腐蚀选择性。

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